IPG20N10S436AATMA1
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 100V 20A 43W 表面贴装，可润湿侧翼 PG-TDSON-8-10
物料参数
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 36 毫欧 @ 17A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 16µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 15nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 990pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 43W |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级: | 汽车级 |
| 资质: | AEC-Q101 |
| 安装类型: | 表面贴装，可润湿侧翼 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装: | PG-TDSON-8-10 |